ＮＦＢＡＭＰ（２）

ＮＦＢＡＭＰ（２）

２ＳＣ１８１５を使ったＮＦＢＡＭＰの追実験をしました。

今回は、蛇の目基盤ではなく、ガラエポ片面基盤にランドを切り出しベタ基盤に貼り付けて擬似両面基盤としました。

実験中の様子です。（相変わらず汚いです。）

今回の実験の目的は、single~5paraまでの特性を取ることです。

回路は、前の回路と一緒です。

まずは、single~5paraまでの各種データです。

このときは、トランスは

で試しました。

	ＩＣ	周波数特性	ＩＭＤ特性
Single トランス　Ｔ１	16mA
Para トランス　Ｔ１	20mA
3para トランス　Ｔ１	24mA
4para トランス　Ｔ１	20mA
5para トランス　Ｔ１	27mA	データのとり忘れですが上の４paraより少し悪かったです。

入出力特性です。

Ｔ１のときは、singleのときが一番いい特性でした。

この時は、ＩＭＤ特性もpara以上は変化なしでエネルギーの無駄使いでした。

このとき、トランスの巻数を反対にするとゲインは下がりましたがＩＭＤ特性は良くなりました。(T2)

トランスの巻数をかえるとさらに特性が改善されました。（Ｔ３　５para）

このトランスの巻数比の最良点は判りません。

ただ追い込んでいけば、かなりいい値が出そうな感じはあります。

この時の、ＩＣの違いによる特性の変化です。（３para T3）

	高調波	周波数特性	ＩＭＤ
IC= 10mA
IC= 25mA
IC= 40mA
IC= 60mA

このとき、ＩＣ＝２５mAがほぼ最良点でした。

それ以上ＩＣを流してもいい結果はでませんでした。

3paraでＩＣ＝25mA

トランス　Ｔ３での特性です。

（コレクタに入っているＲを１８０Ωから３０Ωに変えています）

今回の実験で一番いい特性です。(In 0dBm)

（ただ、まだ最良点ではないと思います）

ＮＦＢが最適ではないので周波数特性が低い周波数でゲインが下がっています。

しかし、ある程度で目をつぶれば２ＳＣ１８１５という安価なデバイスで１４４Ｍｈｚまでまかなえるフロントエンドも製作可能ではと思います。

（ただし、現在２信号特性は１６Ｍｈｚまでしか特性がとれないので１４４Ｍｈｚ当たりの２信号特性は不明です）

129MhzでＩＭＤ特性を図ってみました。

かなり悪化しています。

引き続きトランスの巻数を変えての実験です。

２：３：５です

左はＴＧレベル-10dBm

右は入力0dBmです。

ＮＦＢが効きすぎで高い周波数で盛り上がっています。

１：３：５です。

周波数特性は平坦になりました。ＩＭＤは少し悪化しました。

ただ129Mhzでの特性ですので左の平坦な範囲内ではいいのかもわかりません。

（これは、自作スペアナの3rdLOを引っ張り出してきて実験していますので周波数が変えられません）

２：３：５のトランスに少しおまじないをしてみました。

ゲインは下がりましたが周波数特性は伸びました。

ＩＭＤも改善されました。

しかしゲインが5dBしかないのでは意味がありませんね。

（右の特性は、上と出力を合わせるために入力を３dBmにしています）

この回路は、まだまだ改良の余地があります。

以降続く